Задача e1BDF4 из банка ФИПИ · задание 6 ОГЭ по химии

1 балл · ответ подтверждён проверкой ФИПИ

Выберите два верных продолжения для следующего утверждения.

В ряду химических элементов C → Si → Ge увеличивается

  1. радиус атома

  2. высшая степень окисления

  3. валентность элемента в летучем водородном соединении

  4. число заполненных электронных слоев

  5. число электронов на внешнем уровне

Решить в тренажёре с автопроверкой →
Показать ответ и разбор
Ответ: 14 (номера 1 и 4)

Разбор

💡 C, Si, Ge стоят в одной группе таблицы Менделеева — в вертикальном столбике IVA. Двигаемся сверху вниз: C → Si → Ge. Смотрим, что при этом происходит. Радиус атома — это размер атома. Вниз по группе у атомов появляются новые электронные слои, как новые этажи у дома. Поэтому атом становится крупнее. Пункт 1 верный. Высшая степень окисления — это максимальный «заряд» элемента в соединениях. У C, Si и Ge она одинаковая: +4. Не увеличивается. Пункт 2 неверный. Валентность в летучем водородном соединении — сколько связей атом образует с водородом. Формулы такие: CH4, SiH4, GeH4. Везде валентность IV. Не увеличивается. Пункт 3 неверный. Число заполненных электронных слоёв — сколько электронных «этажей» занято электронами. У C — 2 слоя, у Si — 3, у Ge — 4. Вниз по группе число слоёв растёт. Пункт 4 верный. Число электронов на внешнем уровне — сколько электронов на последнем слое. У всех элементов IVA группы их 4. Не увеличивается. Пункт 5 неверный. ⚠️ Частая ошибка: подумать, что вниз по группе меняется число внешних электронов или валентность. Нет: в одной группе внешних электронов столько же, а вот слоёв становится больше. Ты уже почти у цели — осталось выбрать два пункта: 1 и 4. ✅ Ответ: 14
← Предыдущая задачаВсе задачи №6 (172)
Хочешь закрепить? В тренажёре — быстрые колоды по 5 задач этого номера с баллами по правилам ОГЭ, подсказками ИИ и разбором ошибок. Тренировать задание 6 →