Задача e1BDF4 из банка ФИПИ · задание 6 ОГЭ по химии
Выберите два верных продолжения для следующего утверждения.
В ряду химических элементов C → Si → Ge увеличивается
радиус атома
высшая степень окисления
валентность элемента в летучем водородном соединении
число заполненных электронных слоев
число электронов на внешнем уровне
Показать ответ и разбор
Ответ: 14 (номера 1 и 4)
Разбор
💡 C, Si, Ge стоят в одной группе таблицы Менделеева — в вертикальном столбике IVA. Двигаемся сверху вниз: C → Si → Ge. Смотрим, что при этом происходит.
Радиус атома — это размер атома. Вниз по группе у атомов появляются новые электронные слои, как новые этажи у дома. Поэтому атом становится крупнее. Пункт 1 верный.
Высшая степень окисления — это максимальный «заряд» элемента в соединениях. У C, Si и Ge она одинаковая: +4. Не увеличивается. Пункт 2 неверный.
Валентность в летучем водородном соединении — сколько связей атом образует с водородом. Формулы такие: CH4, SiH4, GeH4. Везде валентность IV. Не увеличивается. Пункт 3 неверный.
Число заполненных электронных слоёв — сколько электронных «этажей» занято электронами. У C — 2 слоя, у Si — 3, у Ge — 4. Вниз по группе число слоёв растёт. Пункт 4 верный.
Число электронов на внешнем уровне — сколько электронов на последнем слое. У всех элементов IVA группы их 4. Не увеличивается. Пункт 5 неверный.
⚠️ Частая ошибка: подумать, что вниз по группе меняется число внешних электронов или валентность. Нет: в одной группе внешних электронов столько же, а вот слоёв становится больше.
Ты уже почти у цели — осталось выбрать два пункта: 1 и 4.
✅ Ответ: 14